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ZAG7001零气发生器
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A.L.S. PiLas 皮秒激光器
– 50 pJ平均输出功率 at 100MHz0.5 – 2 mW脉冲重复频率单发 – 120 MHz光束质量M2 < 1.1, TEM00偏振消光比> 20 dB时间抖动(5)< 3 ps (rms
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1550nm单频半导体激光器 (超窄线宽
技术参数参数符号zei低值典型值zei高值单位输出功率Po20mW中心波长λc1550nM光谱半高宽度FWHM5 / 15kHz边模抑制比SMSR40dB消光比*PER20dB相对强度噪声
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1064nm单模半导体激光器
技术指标参数符号zei低值典型值zei高值单位输出功率Po80mW中心波长λc1063.510641064.5nm光谱半高宽度FWHM0.06nm边模抑制比SMSR4050dB阈值电流
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785nm窄线宽高功率半导体激光器模块
技术参数参数符号zei低值典型值zei高值单位输出功率*Po500mW中心波长λc784.5785785.5nm光谱半高宽度FWHM0.080.12nm边模抑制比SMSR3035dB工作电流
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1550nm单频激光器模块(超窄线宽
技术参数参数符号zei低值典型值zei高值单位输出功率*Po 20mW中心波长λc1550nm光谱半高宽度FWHM 5 / 15kHz边模抑制比SMSR 40dB消
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785nm窄线宽半导体激光器
技术参数参数符号zei低值典型值zei高值单位中心波长λc784.5785785.5nm光谱半高宽度FWHM0.080.12nm边模抑制比SMSR3035dB工作电压Vop1.92.2VTEC
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785nm单模半导体激光器
技术参数参数符号zei低值典型值zei高值单位输出功率Po120mW中心波长λc784.5785785.5nm光谱半高宽度FWHM0.05nm边模抑制比SMSR4050dB阈值电流Ith40mA
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1550nm单频激光器模块(超低RIN值
技术参数参数符号zei低值典型值zei高值单位输出功率*Po 80mW中心波长λc1550nm光谱半高宽度FWHM 50 100kHz边模抑制比SMSR
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1064nm种子源激光器
技术指标参数符号zei低值典型值zei大值单位阈值电流Ith70mA脉冲输出峰值功率Ppulse1300mW脉冲电流峰值(500ns, 1%占空比)Ipulse20002200mA脉冲峰值波长
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